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值得一提的是，一般用戶往往忽視使用說明書，使用注意事項安裝時要仔細領會、照辦。大家知道，電容器的阻抗是和頻率成反比。隨著頻率的，損耗也增大。對于電路中的諧波和涌流要采取措施加以限制。電容器總是要產生熱量的，要特別注意通風冷卻。

無功補償裝置安裝后，試運行過程中，要對系統進行檢測，發現過電壓、過電流、振蕩、諧波等要及時采取措施，這對于電容器的正常運行是非常必要的。

電力補償電容器分類與型號

一、自愈性并聯電力補償電容器

1、BSMJ自愈性金屬化膜石蠟浸漬電力補償電容器

2、BKMJ自愈性金屬化膜樹脂灌封電力補償電容器

3、BCMJ自愈性金屬化膜蓖麻油浸漬電力補償電容器

4、BZMJ自愈性金屬化膜菜籽油油浸漬電力補償電容器

5、BDMJ自愈性金屬化膜氮氣電力補償電容器

二、自愈性串聯電力補償電容器

1、CSMJ自愈性金屬化膜石蠟浸漬電力補償電容器

2、CKMJ自愈性金屬化膜樹脂灌封電力補償電容器

3、CCMJ自愈性金屬化膜蓖麻油浸漬電力補償電容器

4、CZMJ自愈性金屬化膜菜籽油油浸漬電力補償電容器

5、CDMJ自愈性金屬化膜氮氣電力補償電容器

這也是為什么許多線路板在高頻率器件VCC引腳處置放小電容的緣故之一（在vcc腳位上一般串聯一個去藕電容，那樣溝通交流份量就從這一電容接地裝置。）配備標準以下：開關電源鍵入端跨接線一個10～100uF的電解電容器，假如印制電路板的部位容許，選用100uF之上的電解電容器的抗干擾性實際效果會更好。為每一個集成電路芯片芯片配備一個0.01uF的瓷器電容器。如碰到印制電路板室內空間小而放不進時，可每4～10個芯片配備一個1～10uF鉭電解電容器，這類器件的高頻率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范疇內特性阻抗低于1Ω，并且泄露電流不大（0.5uA下列）。針對噪音工作能力弱、關閉時電流量轉變大的器件和ROM、RAM等儲存型器件，應在芯片的電源插頭（Vcc）和接地線（GND）間立即連接去耦電容。去耦電容的導線不可以太長，尤其是高頻率旁通電容不可以帶導線。

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